1. Главная
2.  >
3. Продукция
4.  >
5. Полупроводниковая защитная пленка

Полупроводниковая защитная пленка

Изготовление полупроводниковых устройств начинается с нанесения чрезвычайно тонких пленок материала на кремниевые пластины. Эти пленки наносятся по одному атомному слою за раз с использованием процесса, называемого осаждением из паровой фазы. Точные измерения этих тонких пленок и условий, используемых для их создания, становятся все более важными, поскольку полупроводниковые устройства, такие как компьютерные чипы, уменьшаются. DeepMaterial сотрудничает с поставщиками химикатов, производителями инструментов для процесса осаждения и другими представителями отрасли, чтобы разработать усовершенствованную схему мониторинга осаждения тонких пленок и схемы анализа данных, которая обеспечивает значительно улучшенное представление о системах и химических веществах, формирующих эти сверхтонкие пленки.

DeepMaterial предоставляет этой отрасли необходимые инструменты измерения и данных, которые помогают определить оптимальные условия производства. Рост тонкой пленки методом осаждения из паровой фазы зависит от контролируемой доставки химических прекурсоров на поверхность кремниевой пластины.

Производители полупроводникового оборудования используют методы измерения и анализа данных DeepMaterial для улучшения своих систем для оптимального роста пленки осаждения из паровой фазы. Например, компания DeepMaterial разработала оптическую систему, которая отслеживает рост пленки в реальном времени со значительно более высокой чувствительностью по сравнению с традиционными подходами. Благодаря более совершенным системам мониторинга производители полупроводников могут более уверенно исследовать использование новых химических прекурсоров и то, как слои различных пленок взаимодействуют друг с другом. В результате получаются лучшие «рецепты» пленок с идеальными свойствами.